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Intel的10nm才是真10nm

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发表于 2017-10-1 10:31:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
和Intel竞争的那些半导体厂商,宣传自己的半导体工艺时,往往喜欢把同代工艺弄成数值上比Intel更小,以便让人以为它的半导体工艺比Intel更牛。
可笑的数字游戏。

比如:
Intel的65nm,对手则自称55nm。
Intel的45nm,对手则自称40nm。
Intel的32nm,对手则自称28nm。
Intel的22nm,对手则自称20nm/16nm。
Intel的14nm,对手则自称10nm。

当然对手今天也不是吴下阿蒙了,10nm也有值得肯定的地方,比Intel的14nm确实有进步。

对手进步到什么程度,Intel的说法应该最权威了:

领先友商10nn制程整整一代
  Intel 10nm制程采用第三代FinFET技术,通过超微缩技术实现业内最高的晶体管密度:
  · 最小栅极间距从70nm缩小至54nm,
  · 最小金属间距从52nm缩小至36nm,
  · 逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管,达到之前Intel 14nm制程的2.7倍,大约是业界其他10nm制程的2倍。
  相比之前的14nm制程,Intel 10nm制程可实现多达25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增强版的10nm制程——10++,可将性能再提升15%并将功耗再降低30%。
▍A75核心主频超过3GHz
  去年8月Intel晶圆代工宣布与ARM达成协议,双方将加速基于10纳米制程的ARM系统芯片开发和应用。Intel在精尖制造日上全球首次展示了Cortex-A75 CPU内核的10nm测试芯片晶圆。
  · 采用行业标准设计流程,可实现3.3GHz的性能:
  · 在12周内从RTL至首次Tape Out,
  · 功耗250uW/MHz。
 Intel 10nn制程计划于2017年底投产,2018年上半年实现量产。
 楼主| 发表于 2017-10-1 10:35:24 | 显示全部楼层
根据上面Intel的说法,
Intel的14nm比对手的10nm落后,
  逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管,达到之前Intel 14nm制程的2.7倍,大约是业界其他10nm制程的2倍。

Intel的10nm比对手的10nm先进。
 楼主| 发表于 2017-10-1 10:36:12 | 显示全部楼层
领先友商一代!Intel公布10nm制程,A75狂飙3.3GHz
http://tech.ifeng.com/a/20170920/44691040_0.shtml

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